माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक सर्किट के लिए इलेक्ट्रोस्टेटिक डिस्चार्ज के कारण होने वाले नुकसान का तरीका
धातु तारों और प्रसार क्षेत्र (या polyक्रिस्टलीय) संपर्क छेद एक चिंगारी पैदा, धातु और सिलिकॉन के ओमी संपर्क के कारण टूट सकता है ।
जब नोड का ताप सेमीकंडक्टर सिलिकॉन (१४१५ ° C) के गलनांक से अधिक हो जाता है, तो सिलिकॉन को क्रिस्टलीकरण के कारण पिघलाया जाता है, जिससे डिवाइस का शॉर्ट सर्किट होता है । धातुयुक्त इलेक्ट्रोडों और तारों को पिघलाया जाता है और "स्फेलिडाइज्ड" किया जाता है, जिससे परिपथ खुला रहता है । PN जंक्शन के माध्यम से एक बड़ी धारा प्रवाह जूल गर्मी उत्पन्न करने के लिए, जो जंक्शन के तापमान को बढ़ने का कारण बनता है, एक "हॉट स्पॉट" या "हॉट रन" बनाता है, जिससे डिवाइस को नुकसान पहुंचता है । (स्थिर स्पार्क) तात्कालिक उच्च वर्तमान (स्थैतिक चिंगारी) इलेक्ट्रोस्टेटिक डिस्चार्ज इग्नाइट्स और ज्वलनशील और विस्फोटक गैसों ignites के कारण होता है । मिक्सचर या इलेक्ट्रिक आतिशबाजी, जिससे दुर्घटनावश जलने और विस्फोट की दुर्घटनाएं होती हैं ।
इलेक्ट्रोस्टैटिक निर्वहन मानव शरीर बिजली के झटके से ग्रस्त करने के लिए कारण बनता है, माध्यमिक दुर्घटनाओं और इलेक्ट्रोस्टेटिक क्षेत्र के Coulomb बल जैसे वस्त्र, मुद्रण और प्लास्टिक पैकेजिंग के रूप में स्वचालित उत्पादन लाइनों में बाधा के कारण । तीसरे प्रकार के इलेक्ट्रोस्टेटिक हैजार्ड इलेक्ट्रोस्टेटिक डिस्चार्ज या इलेक्ट्रोमैग्नेटिक हस्तक्षेप के कारण इलेक्ट्रोमैग्नेटिक रेडिएशन के कारण होता है जो इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों पर इलेक्ट्रोस्टेटिक डिस्चार्ज इलेक्ट्रोमैग्नेटिक पल्स (ESDEMP) के कारण होता है ।
सामान्य तौर पर, इलेक्ट्रोस्टेटिक निर्वहन microseconds या सोडियम सेकंड के आदेश पर किया जाता है, तो यह प्रक्रिया एक रुद्धोष्म प्रक्रिया है जिसमें एक बड़े वर्तमान लूप के माध्यम से पारित करने के लिए एक स्थानीयकृत उच्च तापमान गर्मी स्रोत बनाने के लिए है । माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए, इलेक्ट्रोस्टैटिक निर्वहन ऊर्जा डिवाइस के माध्यम से जारी की है, और औसत शक्ति कई किलोवाट तक पहुँच सकते हैं. गर्मी के लिए बिजली के अपव्यय सतह से बाहर फैल मुश्किल है, इस प्रकार डिवाइस में एक बड़े तापमान ढाल बनाने, स्थानीय थर्मल क्षति के कारण । सर्किट प्रदर्शन बिगड़ती है या विफल रहता है ।