इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए इलेक्ट्रोस्टैटिक समाधान
इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) एक प्रसिद्ध विद्युत चुम्बकीय संगतता समस्या है जो इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को खराबी या उन्हें नुकसान पहुंचा सकती है। जब एक सेमीकंडक्टर डिवाइस को अकेले रखा जाता है या सर्किट मॉड्यूल में लोड किया जाता है, तो पावर लागू नहीं होने पर भी इन उपकरणों को स्थायी नुकसान हो सकता है। एक तत्व जो इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज के प्रति संवेदनशील होता है, उसे इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज सेंसिटिव एलिमेंट (ESDS) कहा जाता है।
यदि घटक के दो या अधिक पिंस के बीच वोल्टेज घटक मीडिया की टूटने की ताकत से अधिक है, तो यह घटक को नुकसान पहुंचा सकता है। यह मुख्य कारण है कि एमओएस डिवाइस विफल हो गए हैं। ऑक्साइड परत जितनी पतली होगी, इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज के घटक की संवेदनशीलता उतनी ही अधिक होगी। गलती आमतौर पर खुद को शॉर्ट सर्किट के रूप में प्रकट करती है जिसमें घटक खुद को बिजली की आपूर्ति के लिए एक निश्चित प्रतिरोध होता है। द्विध्रुवी घटकों के लिए, नुकसान आमतौर पर धातुरूप के सक्रिय अर्धचालक क्षेत्रों में होता है जो एक पतली ऑक्साइड परत से अलग होते हैं, इस प्रकार गंभीर रिसाव का मार्ग बनाते हैं।
एक अन्य प्रकार की विफलता सेमीकंडक्टर सिलिकॉन (1415 डिग्री सेल्सियस) के पिघलने बिंदु से अधिक नोड के तापमान के कारण होती है। ईएसडी पल्स की ऊर्जा स्थानीयकृत हीटिंग उत्पन्न कर सकती है, इसलिए इस तंत्र की विफलता होती है। यह विफलता तब भी होती है जब वोल्टेज माध्यम के टूटने वाले वोल्टेज से कम होता है। एक विशिष्ट उदाहरण यह है कि एनपीएन ट्रांजिस्टर के एमिटर और बेस के बीच टूटने से वर्तमान लाभ में तेज गिरावट आती है।
इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज से डिवाइस प्रभावित होने के तुरंत बाद कार्यात्मक क्षति नहीं हो सकती है। इन संभावित रूप से क्षतिग्रस्त घटकों को अक्सर "स्क्वाट्स" के रूप में संदर्भित किया जाता है और, एक बार उपयोग किए जाने पर, बाद में इलेक्ट्रोस्टैटिक निर्वहन या प्रवाहकीय संक्रमण के लिए अधिक संवेदनशीलता प्रदर्शित करेगा।
क्षति को करीब से ध्यान देना महत्वपूर्ण है जो घटक undetectable निर्वहन वोल्टेज के तहत अनुभव कर सकता है। मानव शरीर में एक भावना है कि इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज वोल्टेज 3000 और 5000 वी के बीच है। हालांकि, जिस वोल्टेज पर घटक क्षतिग्रस्त है, वह केवल कुछ सौ वोल्ट है।
इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज के हानिकारक प्रभावों को 1970 के दशक में मान्यता दी गई क्योंकि नई तकनीकों के विकास ने घटकों को इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज क्षति के प्रति अधिक संवेदनशील बना दिया। इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज से होने वाला नुकसान प्रति वर्ष कई मिलियन डॉलर तक पहुंच सकता है। नतीजतन, कई बड़े घटक और उपकरण निर्माताओं ने उत्पादन वातावरण में स्थिर बिल्डअप को कम करने के लिए विशेषज्ञता शुरू की है, जिसके परिणामस्वरूप उत्पाद की उच्च उपज और विश्वसनीयता है। उपयोगकर्ता अपने स्वयं के अनुभव के आधार पर इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज क्षति को रोकने के महत्व को समझते हैं।