विरोधी स्थैतिक चटाई
एंटी-स्टैटिक मैट (फर्श की चटाई) मुख्य रूप से प्रवाहकीय सामग्री, स्थिर विघटनकारी सामग्री और सिंथेटिक रबर से बना है। बनाया गया। उत्पाद आम तौर पर एक दो-परत संरचना है, सतह परत एक स्थिर विघटनकारी परत है, और नीचे की परत एक प्रवाहकीय परत है। चटाई में लंबे समय तक चलने वाला उपयोग होता है, इसमें अच्छा एसिड, क्षार और रासायनिक प्रतिरोध होता है, और यह प्रतिरोधी और साफ करने में आसान होता है।
विभिन्न रासायनिक रचनाओं के साथ कोई भी दो सामग्री, या एक ही रासायनिक संरचना के साथ दो सामग्री, लेकिन विभिन्न भौतिक अवस्थाओं में, उनकी आंतरिक संरचनाओं में विभिन्न चार्ज वाहक ऊर्जा वितरण होते हैं। जब ऐसी दो सामग्रियां संपर्क में होती हैं और रगड़ जाती हैं, तो बिजली के डबल लेयर बनाने के लिए एंटीस्टेटिक मैट की सतह पर चार्ज पुनर्वितरण होता है। जब वे फिर से अलग हो जाते हैं, तो प्रत्येक सामग्री में एक सकारात्मक (या नकारात्मक) आवेश होता है जो संपर्क और घर्षण की तुलना में अत्यधिक होता है। किसी वस्तु को चार्ज करने की इस प्रक्रिया को विद्युतीकरण कहा जाता है।
विद्युतीकरण प्रक्रिया में आम तौर पर संपर्क विद्युतीकरण, ट्राइबोइलेक्ट्रिक विद्युतीकरण, फोटोवोल्टिक विद्युतीकरण, थर्मोइलेक्ट्रिक उत्सर्जन विद्युतीकरण, क्षेत्र उत्सर्जन विद्युतीकरण, बिखरे हुए कण विद्युतीकरण, यांत्रिक फ्रैक्चर विद्युतीकरण और कोरोना विद्युतीकरण होते हैं। सबसे आम संपर्क विद्युतीकरण और ट्राइबोइलेक्ट्रिक चार्जिंग हैं। प्रकाश घर्षण की विद्युतीकरण विशेषताओं को निकट संपर्क और पृथक्करण प्रक्रियाओं की एक श्रृंखला के रूप में अनुमानित किया जा सकता है, जिससे स्थैतिक बिजली उत्पन्न करने के लिए एंटीस्टेटिक कपड़ों की सतहों के बीच स्थानांतरण होता है। हालांकि, गंभीर घर्षण के मामले में, अपेक्षाकृत उच्च गति पर एंटीस्टेटिक शू के स्थानीय संपर्क सतह के सापेक्ष आंदोलन के कारण, एंटीस्टैटिक जूता गर्म या नरम हो सकता है, और दो घर्षण सतहों के बीच बड़े पैमाने पर विनिमय हो सकता है। । इसलिए, विरोधी स्थैतिक पैड सामग्री घर्षण विद्युतीकरण का प्रतीक कभी-कभी विरोधी स्थैतिक कपड़ों की संपर्क सतह पर दबाव से संबंधित होता है। उदाहरण के लिए, जब विस्कोस सिल्क कपड़े को स्टेनलेस स्टील की छड़ से रगड़ा जाता है, तो दबाव कम होने पर कपड़े को सकारात्मक रूप से चार्ज किया जाता है, और दबाव अधिक होने पर नकारात्मक चार्ज किया जाता है। । एक और उदाहरण तब है जब एक ही सामग्री के दो रबर की छड़ें एक-एक स्थिर घर्षण के लिए उपयोग की जाती हैं, और चलती रॉड को सकारात्मक रूप से चार्ज किया जाता है। बार-बार गहन घर्षण के बाद, मूल सकारात्मक चार्ज रॉड नकारात्मक रूप से चार्ज हो जाता है। दो वस्तुओं की उच्च संपर्क क्षमता के अलावा, इन घटनाओं को सीबेक प्रभाव (यानी, तापमान अंतर इलेक्ट्रोमोटिव बल प्रभाव) पर भी विचार करना चाहिए। घर्षण के कारण स्थानीय ताप होता है, जिसके कारण वाहक उच्च तापमान से निम्न तापमान में स्थानांतरित हो जाते हैं। घर्षण से इलेक्ट्रॉनों या आयनों के साथ-साथ पीज़ोइलेक्ट्रिक और थर्मोइलेक्ट्रिक प्रभाव उत्पन्न करने के लिए मैक्रोमोलेक्युलस के यांत्रिक विघटन और थर्मल अपघटन होता है। इतनी गहन घर्षण एक जटिल विद्युतीकरण प्रक्रिया है।
बहुलक की स्थैतिक बिजली को प्रवाहकीय तंत्र के साथ संयोजन में अध्ययन किया जाना चाहिए। जब धातु एंटीस्टैटिक कपड़ों या बहुलक से संपर्क में आती है और इलेक्ट्रान स्थानांतरण या आयन स्थानांतरण के कारण विद्युतीकरण हो सकता है, लेकिन अधिकांश इलेक्ट्रॉन हस्तांतरण आयन स्थानांतरण की एक निश्चित मात्रा के साथ विद्युतीकरण का कारण बन सकते हैं।
इलेक्ट्रॉन स्थानांतरण संपर्क वस्तु के फर्मी ऊर्जा या फर्मी स्तर (ई) पर निर्भर करता है, और इसका मूल्य ठोस में इलेक्ट्रॉनों की विद्युत रासायनिक क्षमता के बराबर है, इसलिए ई एक थर्मोडायनामिक फ़ंक्शन है। ठोस में प्रवेश करने वाले इलेक्ट्रॉनों को ई पर समाप्त होने के रूप में माना जा सकता है, और ठोस से इलेक्ट्रॉनों के भागने को औसत से एर से शुरू माना जा सकता है। जब इलेक्ट्रॉन हस्तांतरण संतुलित होता है, तो पूरे सिस्टम का फर्मी स्तर ऊर्जा स्तर आरेख में बराबर होना चाहिए। कार्य फ़ंक्शन या इलेक्ट्रॉन कार्य फ़ंक्शन मुक्त इलेक्ट्रॉन ऊर्जा ई है। ई के साथ अंतर। जब दो ऑब्जेक्ट संपर्क में होते हैं, तो इलेक्ट्रॉन प्रवाह की दिशा फ़र्मी स्तर या संपर्क से पहले कार्य फ़ंक्शन मान के स्तर पर निर्भर करती है। इलेक्ट्रॉन हमेशा एक तरफ (ई, निम्न) से बहता है जिसमें कार्य फ़ंक्शन छोटा होता है (ई, उच्च)। इलेक्ट्रॉन आंदोलन के परिणामस्वरूप, एक इलेक्ट्रोस्टैटिक क्षमता उत्पन्न होती है। जब ई और दो ऑब्जेक्ट के बीच कार्य फ़ंक्शन के बीच का अंतर बराबर होता है, तो संतुलन तक पहुंच जाता है। इस समय, प्रत्येक ऑब्जेक्ट में रिश्तेदार इंटरफ़ेस के पास एक सकारात्मक या नकारात्मक समकक्ष चार्ज होता है, लेकिन इसे बाहर से मापा जाता है। शुल्क नहीं लिया गया। जैसे-जैसे दो ऑब्जेक्ट अलग होते हैं, वे क्रमशः सकारात्मक और नकारात्मक चार्ज करना शुरू करते हैं। पृथक्करण प्रक्रिया में, पृथक्करण के बाद का वास्तविक अवलोकन टनलिंग, फील्ड उत्सर्जन, गैस डिस्चार्ज और सतह के अंदर और वस्तु के अंदर आवेश विसरण के कारण होता है। संपर्क के समय कुल स्टैटिक चार्ज कुल चार्ज से कम है। पृथक्करण के समय, दो वस्तुओं के बीच संभावित अंतर बहुत कम क्षमता के कारण तेजी से बढ़ जाता है, जिससे अपेक्षाकृत उच्च इलेक्ट्रोस्टैटिक वोल्टेज उत्पन्न होता है। संपर्क विद्युतीकरण का परिणाम हमेशा बड़े कार्य फ़ंक्शन के साथ नकारात्मक होता है और छोटे कार्य फ़ंक्शन के साथ सकारात्मक शक्ति। बहुलक का ट्राइब्रोइलेक्ट्रिक चार्ज अनुक्रम इसके कार्य फ़ंक्शन के आकार के क्रम के समान है।
लोगों ने लंबे समय से विरोधी स्थैतिक जूते के इलेक्ट्रोस्टैटिक चार्जिंग में ध्रुवीय समूहों की भूमिका को समझाने के लिए एंटी-स्टैटिक मैट का उपयोग करने की कोशिश की है। यदि एंटीस्टैटिक मैट में मुख्य श्रृंखला स्तर की तुलना में अधिक ध्रुवीयता स्तर होता है। फिर ऐसे एंटीस्टेटिक सूट का विद्युतीकरण ध्रुवीय समूह की संरचना पर निर्भर होना चाहिए। हाल के वर्षों में, एंटीस्टैटिक जूतों जैसे क्वांटम सिद्धांत के अनुप्रयोग में बड़ी प्रगति हुई है, जैसे कि आंद्रे और डेल} लल्ल। Ab inioio गणना विधि और कुछ अर्ध-अनुभवजन्य सूत्रों का उपयोग ऊर्जा बैंड संरचना और सरल पॉलिमर के राज्यों के घनत्व की गणना करने के लिए किया गया है। वर्बिस्ट ने बहुलक की इलेक्ट्रॉनिक संरचना को निर्धारित करने के लिए एक्स-रे फोटोइलेक्ट्रॉन स्पेक्ट्रोस्कोपी सिद्धांत और विधि का इस्तेमाल किया और इसका उपयोग बैंड के सैद्धांतिक परिणामों का परीक्षण करने के लिए किया। कोलिन्स ग्रीक का उपयोग करता है। '। कार्यात्मक विधि ठोस और पॉलिमर में उत्तेजित अवस्था की समस्या की पड़ताल करती है। ब्रैंडो ने बंद-शेल और ओपन-शेल सिस्टम के लिए प्रासंगिक ऊर्जा अभिव्यक्तियों की स्थापना की, और प्रभावी 7r इलेक्ट्रॉन हैमिल्टनियन ऑपरेटरों, आदि को व्युत्पन्न किया, जो बहुलक इलेक्ट्रॉनिक संरचना के सिद्धांत में बहुत उपयोगी हैं। हालांकि, बहुलक और इलेक्ट्रोस्टैटिक चार्जिंग की इलेक्ट्रॉनिक संरचना के बीच संबंध में, अभी भी कई सैद्धांतिक और प्रायोगिक समस्याएं हैं जो हल नहीं हुई हैं, और भविष्य में और शोध की आवश्यकता है।
